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正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。
但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。
而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET(全栅场效应管)，它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。
图片来自泛林半导体
听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难;而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，主要瓶颈就在于“材料”。
根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂�
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