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英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了--IT时代网
正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。 但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。 而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET(全栅场效应管)，它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。 图片来自泛林半导体 听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难;而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，主要瓶颈就在于“材料”。 根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂�
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英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了
2021-07-28 23:32:14ãæ¥æº: èå APP ä¸¾æ¥ åäº«è³ å享è³å¥½ååæåå ä½è | å®å¤ç° åºå| èå ç§æç» å°é¢| è§è§ä¸å½ èªä»å»å¹´è±ç¹å°è¢«100%ç¡®å¿è¯æ®è¯å®äºå¨10nmå¶ç¨ä¸ç延æï¼ä»¥åå¨7nmå¶ç¨ä¸å ¨é¢è½åäºå°ç§¯çµï¼ä¸§å¤±å ¨çå¶ç¨é¢å¯¼å°ä½åï¼å¤§ä¼è论对è¿å®¶ç¾å½å¯ä¸ä»è®¾è®¡ãå¶é å°å°æµå ¨è¦ççå导ä½ä¼ä¸çæ度ï¼åç°åºæ人çä¸è´ååï¼ é¤äºç«äºå¯¹æåççé¹ä¸å«äºå¤§ä¸æ ·ç�
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