英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了--IT时代网

正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。
但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。
而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET(全栅场效应管)，它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。
图片来自泛林半导体
听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难;而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，主要瓶颈就在于“材料”。
根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂，可能需要钌、钼、镍等各种合金新材料进行沉积、蚀刻、填充。
一位半导体专家这样给虎嗅总结：“它(GAA)将对半导体的基底材料进行更改，半导体连接的材料也要进行更改。同时整个晶体管的物理结构也要变化。”
因此，带领团队开发这项技术的Sanjay Natarajan博士将英特尔的GAA——RibbonFET称为一次“晶体管性能上的重大飞跃”，并非虚话。
根据测试芯片结果，他们预计RibbonFET晶体管带来的性能和密度提升，将超过当下的FinFET晶体管。而Intel 20A将是应用RibbonFET的第一枚芯片。
而电能传输系统PowerVia则是英特尔工程师开发的一项独特技术。Sanjay Natarajan博士作为这项技术的开发负责人，指出半导体晶体管结构中存在的最大传统问题之一便是“布线效率低下”。
“传统互连技术是在晶体管层的顶部进行互联，经常产生电源线和信号线的互混，导致了布线效率低下，进而影响性能和功耗。”
值得注意的是，这两项将用于Intel 20A的关键技术，虽然不可避免被人诟病为“仍然处于PPT状态”(毕竟还都是PPT)，但英特尔的专家们展示了这些测试芯片的扫描电镜图像，显然经过了一系列测试。
就像上面所说，它们的成功应用，将决定着英特尔是否能在5nm这个关键节点上进行反超。
英特尔2019年10月的制程产品规划图
现在来听，其实更像是英特尔在向外界喊话：你们以为我还想在“纳米时代”争夺领导权?不，我们要进入一个比纳米更小的单位去争夺话语权了。
写在最后…希望不是PPT
这一切难道不是意味着，所谓的纳米还是埃米的数字单位，已经越来越没意义了吗?

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