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英特尔亚利桑那州新工厂9月24日动工 投资高达200亿美元

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英特尔中国区换帅 下一步如何发展？--IT时代网

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英特尔中国区换帅 下一步如何发展？ - Intel 英特尔 - cnBeta COM

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英特爾中國區換帥 下一步如何發展？

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英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了--IT时代网

正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。 但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。 而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET(全栅场效应管)，它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。 图片来自泛林半导体 听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难;而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，主要瓶颈就在于“材料”。 根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂�

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