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WPI-MANA erreicht direktes Wachstum von Germanen und markiert damit einen wichtigen Schritt für die Herstellung elektronischer Bauteile

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TSUKUBA, Japan, 21. Juli 2021 /PRNewswire/ Einem Team am WPI-MANA ist das direkte Wachstum von h-BN-verkapptem Germanen auf der Oberfläche von Silber Ag(111) gelungen. Sie glauben, dass dies eine vielversprechende Technik für die Herstellung von elektronischen Geräten auf Germanenbasis in der Zukunft sein könnte.
Die WPI-MANA-Gruppe wuchs das Germanen an den Grenzflächen von Graphen/Ag(111) und hexagonalem Bornitrid (h-BN)/Ag(111) durch Abspaltung von Germaniumatomen. Ein einfacher Glühprozess in Stickstoff (N2) oder Wasserstoff/Argon (H/Ar) bei Umgebungsdruck führte zur Bildung von Germanen, was darauf hindeutet, dass bei diesem Prozess keine Ultrahochvakuumbedingungen notwendig sind. Das resultierende Germanen war an der Luft stabil und gleichmäßig über die gesamte Fläche mit einem van der Waals (vdW)-Material bedeckt. ....

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Börse Express - WPI-MANA erreicht direktes Wachstum von Germanen und markiert damit einen wichtigen Schritt für die Herstellung elektronischer Bauteile

WPI-MANA erreicht direktes Wachstum von Germanen und markiert damit einen wichtigen Schritt für die Herstellung elektronischer Bauteile
21.07.2021 | 03:35
Quelle: OTS Wirtschaft
Tsukuba, Japan (ots/PRNewswire) - Einem Team am WPI-MANA ist das direkte Wachstum von h-BN-verkapptem Germanen auf der Oberfläche von Silber Ag(111) gelungen. Sie glauben, dass dies eine vielversprechende Technik für die Herstellung von elektronischen Geräten auf Germanenbasis in der Zukunft sein könnte.
(Bild:
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Die WPI-MANA-Gruppe wuchs das Germanen an den Grenzflächen von Graphen/Ag(111) und hexagonalem Bornitrid (h-BN)/Ag(111) durch Abspaltung von Germaniumatomen. Ein einfacher Glühprozess in Stickstoff (N2) oder Wasserstoff/Argon (H/Ar) bei Umgebungsdruck führte zur Bildung von Germanen, was darauf hindeutet, dass bei diesem Prozess keine Ultrahochvakuumbedingungen notwendig sind. Das resultierende Germanen war an der Luft stabil und gleichmäßig übe ....

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WPI-MANA développe une croissance directe de Germanène, marquant une étape majeure dans la fabrication de dispositifs électroniques

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TSUKUBA, Japon, 21 juillet 2021 /PRNewswire/ Une équipe de WPI-MANA a réussi à faire croître directement du germanène recouvert de h-BN sur la surface d argent Ag(111). Elle estime qu il s agirait d une technique prometteuse dans la fabrication de dispositifs électroniques à base de germanène à l avenir.
Le groupe WPI-MANA a développé le germanène aux interfaces du graphène/Ag(111) et du nitride de bore hexagonal (h-BN)/Ag(111) en séparant les atomes de germanium. Un simple procédé de recuit à l azote (N2) ou à l hydrogène/argon (H/Ar) soumis à la pression ambiante a conduit à la formation de germanène, ce qui indique que des conditions de vide ultraélevé ne sont pas nécessaires dans ce processus. Le germanène ainsi obtenu était stable dans l air et uniforme sur toute la zone couverte d un matériau van der Waals (vdW). ....

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WPI-MANA Achieves Direct Growth of Germanene, Marking Major Step for Electronic Device Fabrication

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