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Share this article Share this article TSUKUBA, Japan, 15. Juli 2021 /PRNewswire/ Ein Team am WPI-MANA hat einen hochtemperaturstabilen GaN-Resonator demonstriert, der sich durch Hochfrequenzstabilität, einen hohen Q-Faktor und das Potenzial für eine groß angelegte Integration mit Siliziumtechnologie auszeichnet. Diese Erkenntnis könnte zu schnelleren 5G-Elektronikgeräten führen, dank einer besseren Integration von GaN-basierten mikro- und nano-elektromechanischen Systemen (MEMS/NEMS) mit der aktuellen Halbleitertechnologie. Der GaN-Resonator, der auf einem Siliziumsubstrat hergestellt wurde, hatte einen niedrigen Temperaturkoeffizienten der Frequenz (TCF) von mehreren ppm/K (parts per million per degree Kelvin) und Qualitätsfaktoren (Q) ohne Degradation bis zu 600 K.

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