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第 3 代半導體掀投資熱,碳化矽基板是發展關鍵

電動車、5G 基建帶動功率元件需求,第 3 代半導體具重要地位,中國、美國等主要國家紛紛政策推動,國內外企業也爭相投入。產業分析師表示,碳化矽基板是發展最大關鍵。 工研院產科國際所研究總監楊瑞臨說,第 3 代半導體近年成為各國政府與產業界關注的熱門焦點,主要有 3 個催化劑。第一是美國.

第3代半導體全球掀投資熱!專家:得碳化矽基板者將得天下|數位時代 BusinessNext

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〈工業技術與資訊〉臺灣化合物半導體的贏者策略 | Anue鉅亨

鉅亨新視界 facebook comment 電動車、5G、再生能源等新興應用快速普及,功率及電力元件的需求帶動化合物半導體的蓬勃發展,不僅大廠爭相投入,各國也將其視為國家戰略重點。工研院近期邀集產官學界共同討論臺灣化合物半導體產業「贏的策略」,希望延續我國在矽基半導體的既有優勢,打造高值化生態系,在全球高度競爭下勝出。 半導體材料的發展,已從第一代的矽、第二代的砷化鎵(GaAs)/磷化銦(InP)、演進到第三代,以氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)為主的化合物半導體。研究機構 Allied Market Research 指出,光是以 GaN 為材料的電力元件,市場規模就從幾年前僅千萬美元之譜,成長到 2020 年的上億美元;2027 年更將來到 10 億美元。以整體化合物半導體市場來看,估計 2024 年產值將達 530 億美元,年複合成長率為 7.3%,高於矽基半導體的 2.5

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