comparemela.com


三星成功流片3nm GAA芯片:性能优于台积电
站长之家(ChinaZ.com) 6月30日消息:日前三星宣布,与Synopsys合作的采用GAA架构的3nm制程技术已经正式流片。
据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。三星在3nm制程的流片进度与新思科技合作完成,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构,采用GAA结构。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。
据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。
三星代工设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示:「三星代工是推动下一阶段行业创新的核心,我们不断进行基于工艺技术的发展,以满足专业和广泛市场应用不断增长的需求。我们最新的、先进的3nm GAA工艺受益于我们与Synopsys的广泛合作,Fusion Design Platform加速准备以有效实现3nm工艺的承诺,证明了这些关键联盟的重要性和好处。」

Related Keywords

Italy ,Taiwan ,Japan ,United States ,Baoshan ,Heilongjiang ,China , ,Samsung ,Green Department ,Samsung New Officea Kissinger ,New Office ,Meteor Lake ,Hsinchu Science Industrial Park ,Taichung Region ,City Kaohsiung ,Taichung Region Water ,Hsinchu Science Park ,Baoshan Land ,Italy City ,Europe Japan ,United States Arizona ,Start The ,United States Arizona Phoenix Urban Construction ,இத்தாலி ,டைவாந் ,ஜப்பான் ,ஒன்றுபட்டது மாநிலங்களில் ,சீனா ,சாம்சங் ,பச்சை துறை ,புதியது அலுவலகம் ,விண்கல் ஏரி ,ஸின்சு அறிவியல் தொழில்துறை பூங்கா ,ஸின்சு அறிவியல் பூங்கா ,இத்தாலி நகரம் ,யூரோப் ஜப்பான் ,ஒன்றுபட்டது மாநிலங்களில் அரிசோனா ,தொடங்கு தி ,

© 2024 Vimarsana

comparemela.com © 2020. All Rights Reserved.